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IR推出新款控制及同步开关芯片组

发布时间:2020-02-12 19:48:41 阅读: 来源:竹笋类厂家

功率半导体领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款控制及同步开关芯片组,用于驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器,适用于高端先进服务器和台式计算机。该芯片组也可用于电信及数据通信系统的负载点直流-直流转换。

这款二合一芯片组若用于开关频率为每相750kHz的四相1 U(1.75英吋高)VRM系统,可在90A下达到84.5% 的效率;若用于开关频率为每相400kHz的八相内嵌式VRD10.2设计,则可在150A下达到87% 的效率。

第一款器件是单片式IRF6691 DirectFETKY,它把一个肖特基二极管和一个同步MOSFET整合于单一封装内。若采用相同的控制场效应管,该器件在全负载状态及每相1MHz频率下,效率比市场上其他性能最佳的20V同步场效应管改善达1.1%。

IRF6691在10VGS下的典型导通电阻(RDS(on)为1.2 mOhm(在4.5VGS下为1.8 mOhm),典型Qrr为26nC。它不仅提供最佳热性能,而且反向恢复损耗更低,也可减少整体元件数目。

第二款器件是IRF6617 DirectFET HEXFET控制MOSFET。它是特别为控制场效应管开关度身订制,整体栅电荷 (Qg为11nC) 极低。与旧款30V器件相比,它能在4.5VGS下把导通电阻与栅电荷乘积降低33%至87mOhm-nC。

IR中国及香港销售总监严国富表示:“我们不断在器件导通电阻与开关损耗范围以外,改善影响功率MOSFET性能的关键参数。IR业界领先的DirectFET封装技术与最新单芯片技术,为现今最先进的信息科技应用奠定了直流-直流转换效率标准。”

两款器件皆采用IR已获专利的DirectFET封装技术,兼具一系列前所未有的标准塑料离散式封装设计优点。DirectFET功率MOSFET系列凭借创新的双面冷却设计,有效地把驱动先进处理器的高频直流-直流降压转换器的电流处理效能提高了一倍。

两款器件现已供货,基本规格如下:

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